如果你需要购买磨粉机,而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别,那么下面让我来给你讲解一下: 雷蒙磨和球磨机外形差异较大,雷蒙磨高达威猛,球磨机敦实个头也不小,但是二者的工
随着社会经济的快速发展,矿石磨粉的需求量越来越大,传统的磨粉机已经不能满足生产的需要,为了满足生产需求,黎明重工加紧科研步伐,生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
飞锃半导体(Alpha Power Solutions,简称APS)是中国领先的第三代半导体供应商,专业从事碳化硅器件的研发、生产及销售。 公司总部位于中国上海,在深圳、香港、北京均设有分、子公司。
致瞻科技(上海)是一家聚焦于中高端碳化硅驱动及应用的高科技公司。 依托超过10年的碳化硅功率半导体设计及驱动系统集成经验, 秉持“格物致知”的研发理念,致瞻科技推出了业界先进的SiCTeX系列超高频碳化硅驱动器,广泛应用于燃料电池空压机、微型燃
专业的半导体材料解决方案供应商,提供且定制产品有单晶硅片和硅棒(包括区熔FZ和直拉CZ)、外延片 (EPI)、绝缘片 (SOI)、石英单晶(Crystal Quartz)、熔融石英 (Fused Silica)、肖特玻璃(Borofloat33、D263t、B270i)、康宁玻璃(康宁7980、康宁7978、康宁Eagle XG)等半导体
2023年6月28日 碳化硅“风起”:海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 中国新能源汽车需求旺盛,带动了国产第三代半导体的发展,能效更高的碳化硅功率器件供不应求。 瞅准未来两三年短缺的“窗口期”,国内碳化硅(SiC)产业,尤其是8英寸碳化硅产业链,驶入了发展
2024年6月6日 上海瀚薪科技有限公司(下文简称“瀚薪”)于2019年10月12日在上海注册成立,是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高新技术企业,瀚薪在碳化硅领域的产品已经覆盖了从650V、1200V、1700V到3300V 的电压平台,技术处于国
2022年9月29日 2021年3月成立于上海市宝山区。 清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺研发团队,团队核心从事SiC半导体技术20余年,研发和产业化多代SiC功率器件,包括SiC二极管和MOSFET,并先后通过工业级及车规级测试。
为加快实施创新驱动发展战略,复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心(SiCPower)于2020年被上海市科委批准建立。 通过和半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作,致力于研发宽禁带半导体,特别是碳化硅(SiC)材料为
2023年7月1日 此前公开消息显示,上海天岳建设“碳化硅半导体材料项目”总投资25亿元,在达产年,形成年产导电型碳化硅晶锭26万块,对应衬底产品30万片的生产能力。 今年5月初,天岳先进与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议。 根据协议,天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒,第一阶段
APS自主研发的碳化硅MOSFET 具备高开关频率,低导通电阻,优良高温特性,与耐高压等优势,有着替代现有IGBT和超结MOSFET的巨大潜力。 其应用在更高频率的电源设计里,能够缩小系统储能器件的体积,例如大电感,大变压器及大容量电容等,从而降低系统成本
作为国内专业的碳化硅(SIC)提供商我们为客户提供2英寸、4英寸、6英寸、8英寸等各种规格的碳化硅产品。 SIC性能表现出色,质量保障,可满足光学,半导体等行业需求。
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专业的半导体材料解决方案供应商,提供且定制产品有单晶硅片和硅棒(包括区熔FZ和直拉CZ)、外延片 (EPI)、绝缘片 (SOI)、石英单晶(Crystal Quartz)、熔融石英 (Fused Silica)、肖特玻璃(Borofloat33、D263t、B270i)、康宁玻璃(康宁7980、康宁7978、康宁Eagle XG)等半导体
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2024年6月6日 上海瀚薪科技有限公司(下文简称“瀚薪”)于2019年10月12日在上海注册成立,是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高新技术企业,瀚薪在碳化硅领域的产品已经覆盖了从650V、1200V、1700V到3300V 的电压平台,技术处于国
2022年9月29日 2021年3月成立于上海市宝山区。 清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺研发团队,团队核心从事SiC半导体技术20余年,研发和产业化多代SiC功率器件,包括SiC二极管和MOSFET,并先后通过工业级及车规级测试。
为加快实施创新驱动发展战略,复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心(SiCPower)于2020年被上海市科委批准建立。 通过和半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作,致力于研发宽禁带半导体,特别是碳化硅(SiC)材料为
2023年7月1日 此前公开消息显示,上海天岳建设“碳化硅半导体材料项目”总投资25亿元,在达产年,形成年产导电型碳化硅晶锭26万块,对应衬底产品30万片的生产能力。 今年5月初,天岳先进与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议。 根据协议,天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒,第一阶段
APS自主研发的碳化硅MOSFET 具备高开关频率,低导通电阻,优良高温特性,与耐高压等优势,有着替代现有IGBT和超结MOSFET的巨大潜力。 其应用在更高频率的电源设计里,能够缩小系统储能器件的体积,例如大电感,大变压器及大容量电容等,从而降低系统成本
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